SK hynix выпустила первую в мире 321-слойную флеш-память UFS 4.1 для смартфонов

Устрoйствo улучшит скoрoсть и   энeргoэффeктивнoсть гaджeтoвЮжнoкoрeйскaя кoмпaния   SK hynix oбъявилa o   сoздaнии пeрвoй в   мирe 321-слoйнoй флэш-пaмяти фoрмaтa UFS 4.1 возьми   базе http://1-хост.рф/animaczionnye-roliki-dlya-biznesa-i-obrazovaniya технологии 3D TLC NAND. Новинка предназначена во (избежание мобильных устройств и   ориентирована в   улучшение производительности встроенных ИИ-систем.

Парамнезия стала тоньше   — лишь 0,85   мм противу 1   мм в   предыдущем поколении. Сие важно для сверхтонких смартфонов. Энергоэффективность улучшена бери   7% по   сравнению с   прошлой моделью, а   темп последовательного чтения достигает 4300 МБ/с   — сие рекорд для накопителей UFS четвертого поколения.

И без этого (того) того, устройство ускоряет произвольное редакция и   запись данных   — первенствующий параметр для многозадачности. Цифры выросли на   15% и   40% целесообразно. Это позволяет приложениям получай   базе   ИИ запускаться и   делать быстрее, повышая человечность системы.

Компания планирует зачать массовые поставки в   первом квартале следующего возраст. На   старте будут доступны варианты получай   512 ГБ   и   1 ТБ. Равно как в   планах   SK hynix   — спуск аналогичной технологии в целях SSD, включая решения во (избежание дата-центров.

Категория: Обо всем